Qualcomm приступит к серийному выпуску Snapdragon 800, топового мобильного процессора для смартфонов и планшетов, в конце мая.

Американская компания не сообщает, в каких именно устройствах будет установлена новинка, но понятно, что таковыми окажутся девайсы высококлассного уровня. Сообразно ранее всплывавшим производственным планам, к появлению во втором полугодии намечены 55 изделий на базе Snapdragon 800.

Однокристальная система Qualcomm MSM8974 Snapdragon 800 ставится развитием Snapdragon APQ8064T 600 по части производительности, будучи почти вдвое быстрее последнего. Чип составлен из четырех процессорных ядер Krait 400, работающих на тактовых частотах до 2,3 ГГц. Интерфейс оперативной памяти улучшен до двухканальной 32-разрядной 800-МГц LPDDR3, снижены задержки обращения к ней, установлена более быстрая кеш-память второго уровня.

Интегрированная видеографика Adreno 330 идет с почти 50-процентной прибавкой скорострельности в сравнении с Adreno 320. Ей под силам видеовоспроизведение в 4K-формате на частоте 30 кадров/с.

С мультимедийных позиций Snapdragon 600 умеет работать с 7.1-канальным звуком и 55-мегапиксельными камерами.

В кристалл встроен коммуникационный чип Qualcomm, поддерживающий все современные стандарты сотовой связи (в том числе LTE), беспроводные протоколы типа Wi-Fi 802.11n/ac и Bluetooth 4.0, периферийный интерфейс USB 3.0.

Помимо вышесказанного Snapdragon 800 получил пару интересных функций. Так, быстрая зарядкя Quick Charge 2.0 ускоряет наполнение батареи смартфона или планшета электричеством на 75%. То есть, к примеру, если на полную зарядку девайса нужно семь часов, это время сократится до трех часов. Для этого эксплуатируются особые совместимые зарядки, выдающие максимум 60 Вт. Кстати, в прошлом году более 70 устройств вышли с поддержкой решения Quick Charge 1.0, на 40% форсирующего зарядку.

Голосовая активация Snapdragon Voice Activation позволяет выводить устройство из режима сна или режима полета путем отдачи заранее запрограммированной команды голосом. Функция находится в постоянной готовности и потребляет мало энергии.

Snapdragon 800 выполнен в рамках полупроводниковой 28-нм технологии HKMG (high-k + metal gate, «изолирующий слой с высокой диэлектрической проницаемостью плюс металлический затвор»), причем с ориентированным на максимум производительности при сниженном энергопотреблении процессом. Речь идет о так называемом HPm-подходе, который на одном кристалле сочетает высокопроизводительные транзисторы с маломощными
Читать полностью:http://allnokia.ru/news/107204/